24CS32T-I/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 UDFN-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录24CS32T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 SOIC-8 封装。24CS32T-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 TSSOP-8 封装。24CW320T-E/OT66KVAO
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOT-23-5 封装。24CW320T-E/Q4B66KVAO
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 I2C，采用 UDFN-8 封装。24CW320T-E/SN66KVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。24CS512T-I/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 64 k x 8，采用 UDFN-8 封装。24CSM01T-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIJ-8 封装。24CS512T-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIJ-8 封装。24CS512T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。24CS512T-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 TSSOP-8 封装。24FC512T-E/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOT-23-5 封装。24FC512T-E/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 64 k x 8，采用 UDFN-8 封装。24FC512T-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-5 封装。24FC512T-I/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 64 k x 8，采用 UDFN-8 封装。24CSM01T-I/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 UDFN-8 封装。24CS32-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 PDIP-8 封装。24CS32T-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 SOIJ-8 封装。24CS32-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 SOIJ-8 封装。24CS32-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。