X28HC256JIZ-90T1
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录X28HC256JZ-12
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。X28HC256JZ-12T1
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。X28HC256JZ-15
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。X28HC256JZ-90
Renesas / Intersil · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。X28HC64SIZ-12T1
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-28 封装。X28HC64SZ-12
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-28 封装。24CW160T-I/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 I2C，采用 UDFN-8 封装。24FC04-E/SN36KVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。24FC08-E/SN36KVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。24FC08T-E/OT36KVAO
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOT-23-5 封装。24FC08T-E/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5 V、接口类型 I2C，采用 UDFN-8 封装。24FC08T-E/Q6B36KVAO
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 UDFN-8 封装。24FC08T-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 TSSOP-8 封装。24FC08T-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 1 k x 8，采用 SOT-23-5 封装。24FC08T-I/Q4B
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5 V、接口类型 I2C，采用 UDFN-8 封装。24CS32T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 SOIC-8 封装。24CW320T-E/ST66KVAO
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 I2C，采用 TSSOP-8 封装。24CS32T-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 TSSOP-8 封装。24CS32T-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 SOT-23-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。