DS28E05X-S+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：ULTRA-THIN-WLP-4
主要参数包括电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.63 V、原产国家或地区 中国、单件重量 0.002057 oz，采用 ULTRA-THIN-WLP-4 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录DS28E07+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 10 Year，采用 TO-92-3 封装。DS28E07+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 10 Year，采用 TO-92-3 封装。DS28E07G+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SFN-2
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 SFN-2 封装。DS28E07GA+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括原产国家或地区 TH。DS28E07GB+T
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。DS28E07P+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 10 Year，采用 TSOC-6 封装。DS28E07P+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 10 Year，采用 TSOC-6 封装。DS28E07Q+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 10 Year，采用 TDFN-6 封装。DS28E22Q+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 8，采用 TDFN-6 封装。DS28E25+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16、数据保持时间 10 Year，采用 TO-92-3 封装。DS28E25G+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SFN-2
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 SFN-2 封装。DS28E25P+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 TSOC-6 封装。DS28E25P+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16、数据保持时间 10 Year，采用 TSOC-6 封装。DS28E80Q+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 8，采用 TDFN-6 封装。DS28EC20+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80，采用 TO-92-3 封装。DS28EC20+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80、数据保持时间 40 Year，采用 TO-92-3 封装。DS28EC20P+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80，采用 TSOC-6 封装。DS28EC20P+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80、数据保持时间 40 Year，采用 TSOC-6 封装。DS28EC20Q+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 20 kbit、电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 4～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 80，采用 TDFN-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。