DS2431X-S+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：UCSP-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 UCSP-6 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录DS2460S+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 896 位、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 2-Wire, I2C、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-8 封装。DS2460S+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 896 位、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 128 x 7，采用 SOIC-Narrow-8 封装。DS24B33+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 TO-92-3 封装。DS24B33+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 TO-92-3 封装。DS24B33G+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SFN-2
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 SFN-2 封装。DS24B33Q+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 TDFN-6 封装。DS24B33S+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 SOIC-8 封装。DS24B33S+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 SOIC-8 封装。DS24L65P+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、型号别名 DS24L65 90-24L65+V00，采用 TSOC-6 封装。DS2704G+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括原产国家或地区 美国、型号别名 DS2704G 90-2704G+TRL，采用 TDFN-6 封装。DS28E01-100+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 TO-92-3 封装。DS28E01P-100+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 TSOC-6 封装。DS28E01P-100+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 TSOC-6 封装。DS28E04S-100+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SO-16
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 SO-16 封装。DS28E04S-100+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SO-16
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 16，采用 SO-16 封装。DS28E05GB+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：ULTRA-THIN-SFN-2
主要参数包括存储容量 896 位、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 7、数据保持时间 10 Year，采用 ULTRA-THIN-SFN-2 封装。DS28E05P+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 896 位、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 7，采用 TSOC-6 封装。DS28E05P+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 896 位、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 7，采用 TSOC-6 封装。DS28E05R+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-3
主要参数包括存储容量 896 位、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.63 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 128 x 7、数据保持时间 10 Year，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。