BR24G128FVT-5E2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录BR24G64FVM-5TR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 I2C，采用 MSOP-8 封装。BR24G1MFJ-5AE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOP-J-8 封装。BR24G128FJ-5E2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOP-J-8 封装。BR24H256NUX-5ACTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial，采用 VSON008X2030-8 封装。BR24G128NUX-5TR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 VSON008X2030-8 封装。BR24H128FVM-5ACTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial，采用 MSOP-8 封装。BR24H32FJ-5ACE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。BR24G32NUX-5TR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 I2C，采用 VSON008X2030-8 封装。BR24H256FVM-5ACTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial，采用 MSOP-8 封装。BR24H64FVM-5ACTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。BR24H64FVT-5ACE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial，采用 TSSOP-B-8 封装。MIKROE-4422
Mikroe
主要参数包括原产国家或地区 RS、单件重量 0.564383 oz。DS2430A+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 256 位、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 32 x 8，采用 TO-92-3 封装。DS2430A+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 256 位、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 32 x 8，采用 TO-92-3 封装。DS2431GA+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SFN-2
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 SFN-2 封装。DS2431GB+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SFN-2
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 40 Year，采用 SFN-2 封装。DS2431P+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 TSOC-6 封装。DS2431P-A1+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4，采用 TSOC-6 封装。DS2431Q+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、接口类型 1-Wire、存储组织结构 256 x 4、数据保持时间 40 Year，采用 TDFN-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。