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46,309 条型号记录
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24CS32T-I/SM

Microchip Technology · 封装:SOIJ-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8,采用 SOIJ-8 封装。

25CS320-E/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 SPI、存储组织结构 4 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

24CS64T-E/OT

Microchip Technology · 封装:SOT-23-5

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8,采用 SOT-23-5 封装。

24CS32-E/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

24CS64T-E/ST

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8,采用 TSSOP-8 封装。

24CS64-E/MS

Microchip Technology · 封装:MSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8,采用 MSOP-8 封装。

24CS32T-I/MS

Microchip Technology · 封装:MSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8,采用 MSOP-8 封装。

24CS64T-I/MS

Microchip Technology · 封装:MSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8,采用 MSOP-8 封装。

24CS256T-E/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括原产国家或地区 TH,采用 SOIC-8 封装。

BR24H16FVT-5ACE2

ROHM Semiconductor · 封装:TSSOP-B-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial,采用 TSSOP-B-8 封装。

BR25H256FJ-5ACE2

ROHM Semiconductor · 封装:SOP-J-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial,采用 SOP-J-8 封装。

BR24G256FVT-5E2

ROHM Semiconductor · 封装:TSSOP-B-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 TSSOP-B-8 封装。

BR24G64FVT-5E2

ROHM Semiconductor · 封装:TSSOP-B-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.6 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8,采用 TSSOP-B-8 封装。

BR25H256FVT-5ACE2

ROHM Semiconductor · 封装:TSSOP-B-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial,采用 TSSOP-B-8 封装。

BR24G512FVT-5AE2

ROHM Semiconductor · 封装:TSSOP-B-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.6 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 64 k x 8,采用 TSSOP-B-8 封装。

BR24H64NUX-5ACTR

ROHM Semiconductor · 封装:VSON008X2030-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial,采用 VSON008X2030-8 封装。

BR93A76RFJ-WME2

ROHM Semiconductor · 封装:SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial,采用 SOP-8 封装。

BR25H640FVM-5ACTR

ROHM Semiconductor · 封装:MSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial,采用 MSOP-8 封装。

BR24G64FJ-5E2

ROHM Semiconductor · 封装:SOP-J-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.6 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 8 k x 8,采用 SOP-J-8 封装。

BR24H128FJ-5ACE2

ROHM Semiconductor · 封装:SOP-J-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial,采用 SOP-J-8 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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