24CSM01T-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 MSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AT24CM02-SSHD-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。AT24CM02-SSHD-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。AT24CM02-SSHM-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。AT24CM02-SSHM-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。AT25M02-SSHD-B
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI，采用 SOIC-8 封装。AT25M02-SSHD-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 3-Wire, SPI，采用 SOIC-8 封装。25CSM04-I/MF
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 8 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 TDFN-8 封装。25CSM04-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 8 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。25CSM04T-I/CS0668
Microchip Technology · 封装：WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 8 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 WLCSP-8 封装。25CSM04T-I/MF
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 8 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 TDFN-8 封装。25CSM04T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 8 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。CAT24C04C4ATR
onsemi · 封装：WLCSP-4
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 WLCSP-4 封装。CAS24C04HU4I-GT3
onsemi
主要参数包括存储容量 4 kbit、接口类型 I2C、原产国家或地区 TH。CAS24S128C4ATR
onsemi · 封装：WLCSP-4
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 16 k x 8，采用 WLCSP-4 封装。CAS93C66VP2I-GT3
onsemi
主要参数包括最大时钟频率 4 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 3-Wire, Microwire、存储组织结构 512 x 8/256 x 16。CAS93C86BHU4I-GT3
onsemi
主要参数包括存储容量 16 kbit、原产国家或地区 TH。CAT24C02TDI-GT3A
onsemi · 封装：TSOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 256 x 8，采用 TSOT-23-5 封装。CAT24C04HU4I-GT3
onsemi · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。CAT24C04TDI-GT3
onsemi · 封装：TSOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 TSOT-23-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。