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24CS512-I/SM

Microchip Technology · 封装:SOIJ-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 64 k x 8,采用 SOIJ-8 封装。

24CS512-I/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 64 k x 8,采用 SOIC-8 封装。

24CS512T-E/MS

Microchip Technology · 封装:MSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C,采用 MSOP-8 封装。

24CS512T-E/MS66KVAO

Microchip Technology · 封装:MSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 64 k x 8,采用 MSOP-8 封装。

AT21CS11-MCHM10-B

Microchip Technology · 封装:VSFN-2

主要参数包括存储容量 11 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.7~3.6 V、接口类型 I2C、存储组织结构 128 x 8,采用 VSFN-2 封装。

AT21CS11-MCHM10-T

Microchip Technology · 封装:VSFN-2

主要参数包括存储容量 11 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 1.7~3.6 V、接口类型 I2C、存储组织结构 128 x 8,采用 VSFN-2 封装。

24CSM01-E/MS

Microchip Technology · 封装:MSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 MSOP-8 封装。

24CSM01-E/P

Microchip Technology · 封装:PDIP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 PDIP-8 封装。

24CSM01-E/SM

Microchip Technology · 封装:SOIJ-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 SOIJ-8 封装。

24CSM01-E/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

24CSM01-I/MS

Microchip Technology · 封装:MSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 MSOP-8 封装。

24CSM01-I/P

Microchip Technology · 封装:PDIP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 PDIP-8 封装。

24CSM01-I/SM

Microchip Technology · 封装:SOIJ-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 SOIJ-8 封装。

24CSM01-I/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

24CSM01T-E/MS

Microchip Technology · 封装:MSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 MSOP-8 封装。

24CSM01T-E/Q4B

Microchip Technology · 封装:UDFN-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 UDFN-8 封装。

24CSM01T-E/SM

Microchip Technology · 封装:SOIJ-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 SOIJ-8 封装。

24CSM01T-E/SN

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 SOIC-8 封装。

24CSM01T-E/ST

Microchip Technology · 封装:TSSOP-8

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 TSSOP-8 封装。

24CSM01T-I/CS0668

Microchip Technology · 封装:CSP-8

主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.75~5.5 V、接口类型 I2C,采用 CSP-8 封装。

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