RM24C128BF-7-GCSI-T
Adesto Technologies · 封装：WLCSP-4
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.65～3.6 V、接口类型 I2C, SPI，采用 WLCSP-4 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录RM24C128BF-0-GCSI-T
Adesto Technologies · 封装：WLCSP-4
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.65～3.6 V、接口类型 I2C, SPI，采用 WLCSP-4 封装。NXH5104UK/A1Z
NXP Semiconductors · 封装：WLCSP-13
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 2 V、工作电源电压 1～2 V、接口类型 Serial，采用 WLCSP-13 封装。DS2430A+
Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 256 位、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 32 x 8，采用 TO-92-3 封装。25CS640-E/SN36KVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 位、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOIC-8 封装。25CS640T-E/ST36KVAO
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 位、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 TSSOP-8 封装。24CS32-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 MSOP-8 封装。24CS128-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 MSOP-8 封装。24CS128-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 PDIP-8 封装。24CS128-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIJ-8 封装。24CS128-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 MSOP-8 封装。24CS128-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 PDIP-8 封装。24CS128-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIJ-8 封装。24CS512-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 64 k x 8，采用 MSOP-8 封装。24CS512-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 PDIP-8 封装。24CS512-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C、存储组织结构 64 k x 8，采用 SOIJ-8 封装。24CS512-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-8 封装。24CS512-E/SN66KVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7 V ot 5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOIC-8 封装。24CS512-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 MSOP-8 封装。24CS512-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3.4 MHz、存储容量 512 kbit、接口类型 I2C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、晶圆制造国家或地区 中国台湾，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。