93LC66CT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、存储组织结构 512 x 8, 256 x 16，采用 TDFN-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录93C56CT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。93LC66CXT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。11LC080T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 SOIC-8 封装。93LC56AXT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。93LC46CXT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。93LC66BT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、存储组织结构 256 x 16，采用 TDFN-8 封装。24LC01BHT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。24AA64T-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 SOIJ-8 封装。93C56CT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、工作电源电压 7 V、存储组织结构 256 x 8、数据保持时间 200 Year、电源电流（最大值） 2 mA，采用 TDFN-8 封装。24LC04BHT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。24LC044T-E/MUY
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
采用 UDFN-8 封装。34LC02T-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.2～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。93LC46AT-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。34AA04T-E/MUY
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 UDFN-8 封装。AT28BV256-20TU-235
Microchip Technology · 封装：TSOP-28
采用 TSOP-28 封装。24LC32AFT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。25LC040AT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 4 kbit、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 512 x 8、数据保持时间 200 Year，采用 TDFN-8 封装。93LC86CT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、存储组织结构 2 k x 8, 1 k x 16，采用 TDFN-8 封装。93AA46XT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。