93C66BT-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录93C46AT-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。93LC56CXT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。24VL024T/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V , 2.5 V , 3.3 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。93C76CT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。24C01CT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。93C66AT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 4 kbit、工作电源电压 7 V、存储组织结构 512 x 8、数据保持时间 200 Year、电源电流（最大值） 2 mA，采用 TDFN-8 封装。11LC160T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 TDFN-8 封装。93LC66AT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、存储组织结构 512 x 8，采用 TDFN-8 封装。24LC014HT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。24LC014T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。93AA76CT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。24LC08BHT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。24LC025T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。93LC66BT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 4 kbit、存储组织结构 256 x 16，采用 TDFN-8 封装。11LC161T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 16 kbit、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 2 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 TDFN-8 封装。93LC76AT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。BR93C76-WDW6TP
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire。93LC76CT-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。93C56AT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 2 kbit、存储组织结构 256 x 8，采用 TDFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。