24AA08HT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录93LC46BT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、存储组织结构 64 x 16，采用 TDFN-8 封装。93AA46BT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、存储组织结构 64 x 16，采用 TDFN-8 封装。24AA02HT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 2 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 256 x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-8 封装。24C00T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 位、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。93LC46AT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、存储组织结构 128 x 8，采用 TDFN-8 封装。11LC010T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 SOIC-8 封装。93AA46AT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、存储组织结构 128 x 8, 64 x 16，采用 TDFN-8 封装。24FC512T-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。93C66CT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。93LC66CXT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。93AA56AXT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。11LC040T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 MSOP-8 封装。24LC00T-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 128 位、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 16 x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-8 封装。93LC56AXT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。93C56BXT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。11LC010T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 TDFN-8 封装。93LC56AT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 2 kbit、存储组织结构 256 x 8，采用 TDFN-8 封装。93C46CT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、存储组织结构 128 x 8, 64 x 16，采用 TDFN-8 封装。24LC044T-I/MUY
Microchip Technology · 封装：UDFN-8
采用 UDFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。