24LC01BHT-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录11AA080T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 SOIC-8 封装。24AA02HT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。93LC56CT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。AT28HC256F-90LM/883
Microchip Technology / Atmel · 封装：LCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 32 k x 8，采用 LCC-32 封装。AT28HC256-90SU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。25AA1024T-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。24FC1024T-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、存储组织结构 128 k x 8、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。24LC1026T-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 128 k x 8，采用 SOIC-Wide-8 封装。AT28HC256F-12LM/883
Microchip Technology / Atmel · 封装：LCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 32 k x 8，采用 LCC-32 封装。AT28HC256E-90SU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。AT28BV64B-20TU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSOP-28
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.7～3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8，采用 TSOP-28 封装。25K512T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 512 kbit、存储组织结构 64 k x 8、湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。AT28HC256E-12SU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。24FC512T-I/ST14
Microchip Technology · 封装：TSSOP-14
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-14 封装。25LC128T-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-8 封装。24AA256T-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 256 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 32 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001319 oz，采用 DFN-8 封装。24AA16HT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。93AA76T/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 1.8～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。93AA86T/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 1.8～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。