25AA256T-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括存储容量 256 kbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 SOIJ-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录M24SR64-YDW8T/2
STMicroelectronics
EEPROM24FC256T-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。25LC128T-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括存储容量 128 kbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 16 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 SOIJ-8 封装。25LC128T-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括存储容量 128 kbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 16 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 SOIJ-8 封装。25AA080BT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25LC640AXT-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。25AA080T/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25AA080CT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。93LC86AT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。25LC080CT-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MSOP-8 封装。24AA128T/SM
Microchip Technology · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Wide-8 封装。93AA86BT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。25LC080CT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。25LC080AT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。24LC128T-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Wide-8 封装。93C76CT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 8 kbit、存储组织结构 1 k x 8, 512 x 16，采用 TDFN-8 封装。24LC21T/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。24LC128T-I/SMG
Microchip Technology · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Wide-8 封装。24AA16T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 128 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 16 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。