24FC64FT-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001319 oz，采用 DFN-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录25AA160T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25LC080CT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TDFN-8 封装。25AA128T-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-Wide-8 封装。24FC64T-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。25LC080BT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。24LC256T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 256 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 32 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-8 封装。24AA08T-I/CS16K
Microchip Technology · 封装：CSP-5
主要参数包括存储容量 8 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 1 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 CSP-5 封装。24AA64XT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。93LC66BXT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。24AA64FT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。BR93C66-10TU-2.7
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire。93AA76CT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。93LC76CT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。93C56CXT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。11AA161T-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 16 kbit、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 2 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 TDFN-8 封装。93LC76CT-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。11LC161T-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 16 kbit、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 2 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 TDFN-8 封装。24LC16BHT-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。24LC32AXT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。