IS43TR16256A-15HBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT41K512M16VRN-107 IT:P
Micron
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位。MT40A256M16LY-062E IT:F
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。IS46DR16640B-3DBLA2
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。MT48LC4M16A2P-6A AAT:J TR
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS4C4M16S-6TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS43R16160D-6BL
ISSI · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 FBGA-60 封装。MT48LC16M8A2P-6A AIT:L TR
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-54 封装。AS4C16M16S-6BIN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TFBGA-54 封装。AS4C32M16D1-5TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。AS4C256M8D3A-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT46V16M16TG-5B:MTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。AS4C64M16D2-25BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。MT46H64M32LFBQ-48 IT:C
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT48LC8M16A2TG-6A:LTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-86
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、湿敏性 是，采用 TSOP-86 封装。AS4C256M8D3A-12BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT48LC16M16A2F4-6A:GTR
Alliance Memory · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。AS4C64M16D3A-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT41K512M8DA-093:P
Micron · 封装：FBGA-78
采用 FBGA-78 封装。IS46TR16128B-15HBLA1
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。