24LC16BHT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录93C56BT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 2 kbit、存储组织结构 128 x 16，采用 TDFN-8 封装。24LC32AXT-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。24VL014HT/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.5～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。93C86CT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。25LC010AT-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MSOP-8 封装。11LC040T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 TDFN-8 封装。24AA52T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。93LC46AT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 1 kbit、存储组织结构 128 x 8，采用 TDFN-8 封装。24LC08BHT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。93C56CT-I/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 DFN-8 封装。25LC128T-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-8 封装。25AA128T-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-8 封装。24LC512T-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。24LC65T/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIJ-8 封装。24AA65T/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 1.8～6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIJ-8 封装。25LC256XT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。25AA040XT/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。25AA256XT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。24K512T-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括存储容量 512 kbit、存储组织结构 64 k x 8、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。