11AA080T-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 MSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录24LC16BH-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。24LC64FT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。24LC16BT-M/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 16 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 2 k x 8、数据保持时间 200 Year、湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。AT28C010-15LM/883
Microchip Technology / Atmel · 封装：CLCC-44
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8，采用 CLCC-44 封装。24AA1024T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、存储组织结构 128 k x 8、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。25LC512T-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-S-8 封装。DS28E11P+T
Maxim Integrated
EEPROM 1-W 256B EEPROM W/SHA-256 TSOC T&R24LC512T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。AT28HC256-12LM/883
Microchip Technology / Atmel · 封装：LCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 32 k x 8，采用 LCC-32 封装。93C86T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。25C160T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。93LC76T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。25LC160CT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TDFN-8 封装。93AA86CT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。93AA76BT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。34AA02T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。24LC08BT-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。24AA044T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。93LC56AT-I/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。