IS45S32400F-7BLA1
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43R86400D-6BLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-60 封装。IS43R32400E-4BL
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 250 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-144 封装。IS46DR16320D-25DBLA1
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。MT47H256M8EB-25E AIT:C TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。IS42S32800J-75EBL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS46DR16640B-25DBLA1
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。AS4C2M32SA-6TCNTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。IS42S32200L-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L TR
Micron · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L TR
Micron · 封装：TFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-60 封装。IS43DR81280B-25DBLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT46V16M16CY-5B AAT:M TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。IS42S32160F-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。IS43DR16640C-3DBI
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是，采用 BGA-84 封装。IS43DR82560C-3DBLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-60 封装。IS46DR16128C-3DBLA2
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是，采用 BGA-84 封装。IS46TR16640ED-15HBLA1
ISSI · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。