24LC04BT-E/MS
Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 MSOP-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8 V , 2.5 V , 3.3 V , 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-Wide-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括存储容量 128 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 16 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001319 oz,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:TDFN-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001764 oz,采用 TDFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 PDIP-8 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:TSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8,采用 TSOP-32 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 Mbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:M2-J-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 2.7~3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 M2-J-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:M2-P-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 M2-P-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-Wide-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.7~5.5 V、接口类型 I2C,采用 TSSOP-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.7~5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。