MT40A256M16GE-075E AAT:B TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT48LC16M16A2F4-6A IT:GTR
Alliance Memory · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。W632GG6MB-12
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。MT48LC4M16A2P-7E AIT:J TR
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。MT40A512M16JY-075E AIT:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT40A256M16GE-075E AUT:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L TR
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT40A256M16GE-083E IT:B TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。IS41LV16105C-50TLI
ISSI · 封装：TSOP-44
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 FPM DRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-44 封装。IS41C16105C-50TLI
ISSI · 封装：TSOP-44
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、类型 FPM DRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-44 封装。IS41LV16256C-35TLI
ISSI · 封装：TSOP-40
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 EDO DRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-40 封装。IS46R16320D-6TLA2
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS46R16320E-6TLA1
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。IS43R86400D-5BL
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.6 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-60 封装。IS43R16160D-5BLI
ISSI · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 FBGA-60 封装。IS43R16160D-5BL
ISSI · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 FBGA-60 封装。IS43R16320D-5BLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-60 封装。IS43DR16160B-25DBLI
ISSI · 封装：WBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 WBGA-84 封装。IS45S32800J-6TLA1
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。