BR25010-10TU-1.8
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录BR25L020FVM-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MSOP-8 封装。BR25G640FJ-3GE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括型号别名 BR25G640FJ-3，采用 SOP-J-8 封装。AT28HC256F-90FM/883
Microchip Technology / Atmel · 封装：Flatpack-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 32 k x 8，采用 Flatpack-28 封装。BR93L46FVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-B-8 封装。24LC04BT/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。BR93G86NUX-3BTTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 VSON008X2030-8 封装。BR93G46FVM-3GTTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 1 kB、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 3-Wire / MicroWire，采用 MSOP-8 封装。BR24C01-RMN6TP
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C。CAV25M01VE-GT3
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。BR25G512FJ-3GE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8J
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 512 kB、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOP-8J 封装。BR93G56F-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kB、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 3-Wire / MicroWire，采用 SOP-8 封装。NV25M01DTUTG
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 I2C, SPI，采用 TSSOP-8 封装。AT28LV010-20TU-235
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSOP-32
采用 TSOP-32 封装。CAT25128HU4I-GT3
ON Semiconductor · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 UDFN-8 封装。DS28E80Q+U
Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Serial, 1-Wire、存储组织结构 248 x 8，采用 TDFN-6 封装。24AA024-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.4 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。93C46C-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。CAV25256YE-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。BR93G86F-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kB、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 3-Wire / MicroWire，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。