GLS29EE512-70-4C-NHE-T
Greenliant · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 64 k x 8，采用 PLCC-32 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GLS29EE010-70-4C-EHE
Greenliant · 封装：TSOP-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8，采用 TSOP-32 封装。24K512-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 512 kbit、存储组织结构 64 k x 8、湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。GLS29EE010-70-4C-NHE-T
Greenliant · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8，采用 PLCC-32 封装。25AA256-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括存储容量 256 kbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据保持时间 200 Year，采用 SOIJ-8 封装。25K512-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 512 kbit、存储组织结构 64 k x 8、单件重量 0.001319 oz，采用 DFN-8 封装。S-24CS16A0I-T8T1G
ABLIC · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。604-00020
Parallax
主要参数包括存储容量 4 kbit、单件重量 0.016000 oz。S-24C02CI-I8T1U
ABLIC
EEPROM 2KB I2C 2 WIRE24LC044-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
采用 PDIP-8 封装。24LC64F-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。24VL024H/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.5～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。24LC32AF-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 32 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8、数据保持时间 200 Year、湿敏性 是、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-8 封装。25LC640AX-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。25AA640AX-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。602-10007
Parallax
主要参数包括存储容量 16 kbit、存储组织结构 2 k x 8、单件重量 0.160144 oz。CAT25640YI-GT3JN
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。25LC080D-H/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。LE28F4001CTS-12M01-E
ON Semiconductor
EEPROM25AA640A-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。