24AA01HT-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录24FC01-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。34AA02T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。24AA01HT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。11AA010T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 SOIC-8 封装。93AA46AXT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。24AA1024-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、存储组织结构 128 k x 8、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。24AA256-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 256 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 32 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001319 oz，采用 DFN-8 封装。BRCE064GWZ-3E2
ROHM Semiconductor · 封装：UCSP25L1-6
主要参数包括型号别名 BRCE064GWZ-3，采用 UCSP25L1-6 封装。24LC64F-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、湿敏性 是，采用 SOIC-Wide-8 封装。25LC160C-H/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。24VL014H/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.5～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。S-25C020A0I-K8T3U
ABLIC · 封装：TMSOP-8
采用 TMSOP-8 封装。24AA64F-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、湿敏性 是，采用 SOIJ-8 封装。BR24C04-RMN6TP
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C。BR93L76RFJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOP-J-8 封装。BR93L56RFV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SSOP-B-8 封装。BR93L46RFVM-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。BR25H010FJ-WCE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括型号别名 BR25H010FJ-WC、单件重量 0.030018 oz，采用 SOP-J-8 封装。BR25160N-10SU-1.8
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。