MT41K128M8DA-107 AIT:J
Micron · 封装：FBGA-78
采用 FBGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W9812G6KH-5I
Winbond · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR
Micron · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。AS4C128M16D2A-25BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。MT41K256M16LY-093:N
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT47H128M16RT-25E IT:C TR
Micron · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IS43TR16256A-125KBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。MT41K256M16LY-107:N
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 GBit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT40A512M16LY-062E IT:E
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT40A512M16LY-075:E
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT41K512M8DA-107:P
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括湿敏性 是，采用 FBGA-78 封装。MT47H64M16NF-25E XIT:M
Micron · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。MT41K128M8DA-107:J
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括湿敏性 是，采用 FBGA-78 封装。IS43TR81024BL-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。W632GU6MB-12
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。MT47H32M16NF-25E:H TR
Micron · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。MT47H256M8EB-25E IT:C TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。MT40A1G8SA-075:E
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT40A256M16GE-083E AUT:B TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT48LC8M16A2TG-6A:L
Alliance Memory · 封装：TSOP-86
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、湿敏性 是，采用 TSOP-86 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。