93LC66C-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录24LC014-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。93C56AX-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。24LC04BH-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。93C56B-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。34AA02-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。93C56C-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。93LC46C-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。93LC56C-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。93C46BX-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。11AA020T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 SOIC-8 封装。93LC46AX/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。24FC1024-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 1 Mbit、存储组织结构 128 k x 8、单件重量 0.001319 oz，采用 DFN-8 封装。25K512-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 512 kbit、存储组织结构 64 k x 8、湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。24FC64F-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.001319 oz，采用 DFN-8 封装。93AA76/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 1.8～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。24FC64F-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、湿敏性 是、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-8 封装。BR93C46R-10SU-1.8
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 0.25 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire。24FC64F-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、湿敏性 是，采用 SOIJ-8 封装。25AA640A-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.032805 oz，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。