DS28EL25Q+U
Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、工作电源电压 1.8 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 TDFN-6 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录AT88SC018-SU-CN-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。CAT93C46VI-G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。DS2431P-A1+T
Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 4，采用 TSOC-6 封装。BR93L46FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOP-J-8 封装。BR25L040FVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-B-8 封装。M95320-DRMN8TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SO-8 封装。BR24T1MFJ-3AME2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 MB、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C, Serial、存储组织结构 128 k x 8，采用 SOP-J8 封装。M24C64-DFCT6TP/K
STMicroelectronics · 封装：WLCSP-8
采用 WLCSP-8 封装。BR95080-WMN6TP
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI。AT25040B-MAHL-E
Microchip Technology / Atmel · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 UDFN-8 封装。S-25C020A0I-J8T1U
ABLIC · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 6.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 128 x 16，采用 SOP-8 封装。BR93G76FVJ-3BGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-B8J-8 封装。BR93G76FVM-3BGTTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。34LC02-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.2～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。S-24C02CI-J8T1U
ABLIC · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 6.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 256 x 8，采用 SOP-8 封装。11LC080-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 MSOP-8 封装。24LC08BH-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。24LC01BH-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。BR93G76NUX-3ATTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 VSON008X2030-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。