AS4C64M16D3LB-12BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS4C64M16D3LB-12BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C32M8D1-5TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-66 封装。AS4C256M8D2-25BCN
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是。W9864G6KH-5
Winbond · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。W97AH6KBVX2I
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。AS4C64M16D3B-12BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。W971GG6SB-25
Winbond · 封装：WBGA-84
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 64 M x 16，采用 WBGA-84 封装。IS42SM16320E-75BLI
ISSI · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。IS42S32800G-7BLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。MT40A2G4SA-075:E
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-78 封装。W949D6DBHX5E
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。S27KL0641DABHB020
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。MT48LC32M16A2TG-75:CTR
Alliance Memory
主要参数包括湿敏性 是、商品名称 Micron。AS4C64M16D3B-12BINTR
Alliance Memory
主要参数包括湿敏性 是。AS4C128M8D2A-25BCN
Alliance Memory
主要参数包括湿敏性 是。AS4C64M16D3B-12BCNTR
Alliance Memory
主要参数包括湿敏性 是。AS4C4M16SA-6TCNTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS4C4M16SA-7BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。AS4C64M8D2-25BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。