AT88SC0104CA-MJ
Microchip Technology / Atmel · 封装：M2-J-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 M2-J-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AT25020B-MAHL-E
Microchip Technology / Atmel · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 UDFN-8 封装。BR25A1MFJ-3MGE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括型号别名 BR25A1MFJ-3M，采用 SOP-J-8 封装。AT88SC1616C-MJ
Microchip Technology / Atmel · 封装：M2-J-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 M2-J-8 封装。AT88SC0204C-MJ
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。BU9897GUL-WE2
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C。BR24S32FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、存储组织结构 4 k x 8、电源电流（最大值） 2 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-J-8 封装。BR24L08NUX-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括型号别名 BR24L08NUX-W，采用 VSON008X2030-8 封装。M24128-DFCS6TP/K
STMicroelectronics · 封装：WLCSP-8
主要参数包括单件重量 0.000060 oz，采用 WLCSP-8 封装。LE24CB642MC-AE
ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。24FC04HT-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 MSOP-8 封装。AT21CS11-MSH10-B
Microchip Technology / Atmel · 封装：XSFN-2
主要参数包括最大时钟频率 125 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 4.5 V、接口类型 Serial、存储组织结构 128 x 8，采用 XSFN-2 封装。NV25160DTHFT3G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 TSSOP-8 封装。93C66BT-I/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 DFN-8 封装。CAV25512HU5E-GT3
ON Semiconductor · 封装：UDFN-8
主要参数包括认证等级 AEC-Q100，采用 UDFN-8 封装。NV25512MUW3VTBG
ON Semiconductor · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 UDFN-8 封装。DS24L65P+T
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 90-24L65+V00 DS24L65。RM24C64AF-0-GCSI-T
Adesto Technologies · 封装：WLCSP-4
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2.2 V、工作电源电压 1.65～2.2 V、接口类型 I2C，采用 WLCSP-4 封装。CAV24M01YE-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。DS28E25Q+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 TDFN-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。