BR24G08NUX-3ATTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 VSON008X2030-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录BR24G08F-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。BR24G64FV-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SSOP-B-8 封装。M24C02-FMC6TG
STMicroelectronics · 封装：UFDFPN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 UFDFPN-8 封装。AT88SC0104CA-SH
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。25LC256-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-8 封装。AT24CM01-SSHM-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。DS28E07Q+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括高度 0.75 mm、长度 3 mm、宽度 3 mm、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-6 封装。CAT24AA01TDI-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V , 2.5 V , 3.3 V , 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSOT-23-5 封装。CAT24M01YI-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。DS24B33+T&R
Maxim Integrated · 封装：TO-92-3
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 TO-92-3 封装。M93C46-RDW3TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。M95080-DRMN8TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SO-8 封装。M95160-DRDW8TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 TSSOP-8 封装。RM25C128DS-LSNI-B
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.65～3.6 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。M24C08-DRDW8TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT28C010E-12JU-341
Microchip Technology / Atmel · 封装：PLCC-32
主要参数包括湿敏性 是，采用 PLCC-32 封装。AT28C010E-12EM/883
Microchip Technology / Atmel · 封装：CLCC-32
主要参数包括存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 k x 8，采用 CLCC-32 封装。M24C32M-FCU6T/TF
STMicroelectronics · 封装：WLCSP-4
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C、存储组织结构 4 k x 8，采用 WLCSP-4 封装。M95080-DFMC6TG
STMicroelectronics · 封装：UFDFPN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 UFDFPN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。