24FC04-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 MSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录24AA64T-I/CS16K
Microchip Technology · 封装：CSP-4
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 CSP-4 封装。25LC160CT-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MSOP-8 封装。24LC024T-E/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。24LCS52T-I/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。34VL02T/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.5～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。24AA64FT-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。93C76BT-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-6
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOT-23-6 封装。93AA76CT-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。24LC014HT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。M95010-WMN6P
STMicroelectronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。M24C32-DFMN6TP
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括存储容量 32 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 4 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.017870 oz，采用 SO-8 封装。M95256-DFCS6TP/K
STMicroelectronics · 封装：WLCSP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 WLCSP-8 封装。BR24T512F-3AME2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C, Serial、存储组织结构 64 k x 8，采用 SOP-8 封装。BR93A66RFVM-WMTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kB、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。BR24T1MF-3AME2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 MB、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 I2C, Serial、存储组织结构 128 k x 8，采用 SOP-8 封装。BR93H86RFJ-WCE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J8
主要参数包括最大时钟频率 1.25 MHz、存储容量 16 kB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOP-J8 封装。24FC04T-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT25160B-XHL-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。34LC02-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.2～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。