25LC080CT-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录93AA86CT-I/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 DFN-8 封装。25AA020AT-I/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-8 封装。25LC010AT-I/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-8 封装。24VL025T/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V , 2.5 V , 3.3 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。BR93G46FJ-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8J
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 1 kB、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire，采用 SOP-8J 封装。AT28C256E-15SU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。AT28HC256E-90JU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。AT28BV256-20JU-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 2.7～3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。AT28HC64BF-12JU-T
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8，采用 PLCC-32 封装。AT28C256F-15JU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。AT28BV64B-20SU-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 8 k x 8、访问时间 200 ns，采用 SOIC-28 封装。M95640-DRDW3TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。M95020-DRDW3TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。M93C56-RDW3TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。CAT93C46XI-T2
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。M93C86-RMN3TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SO-8 封装。M95040-RMN6TP
STMicroelectronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。M95160-DFMN6TP
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SO-8 封装。CAT93C86VI-G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。