S-24C128CI-T8T1U3
ABLIC · 封装：TSSOP-8
主要参数包括单件重量 0.006737 oz，采用 TSSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录S-25C256A0I-J8T1U4
ABLIC
EEPROMS-24C04DI-M5T1U5
ABLIC · 封装：SOT-23-5
主要参数包括单件重量 0.003951 oz，采用 SOT-23-5 封装。S-25C020A0I-I8T1U
ABLIC · 封装：SNT-8A-8
采用 SNT-8A-8 封装。S-25C010A0I-K8T3U
ABLIC · 封装：TMSOP-8
采用 TMSOP-8 封装。24AA02E64-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。24AA02/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。BR93L46RFVJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-B8J-8 封装。24LC024/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。24C02CT-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。24LC16BHT-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。11AA080T-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 TDFN-8 封装。11LC080T-E/TT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-3
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ，采用 SOT-23-3 封装。34LC02T-E/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-6
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.2～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-6 封装。93C56AT-E/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-6
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOT-23-6 封装。93AA66BT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。25LC160DT-H/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25LC160BT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25AA160CT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TDFN-8 封装。93C86CT-I/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。