AS4C16M16D1A-5TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43TR85120AL-125KBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。IS43LR32800G-6BLI
ISSI · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TFBGA-90 封装。AS4C4M32SA-6TCN
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。IS43DR86400C-3DBLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。IS42S32800J-7BL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS43TR85120A-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-78 封装。IS43DR16160B-3DBI
ISSI · 封装：WBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 WBGA-84 封装。MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR
Micron · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。AS4C16M16S-7TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS46DR16128A-3DBLA2
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是。MT40A512M16JY-083E AAT:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。AS4C64M16D1-6TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。AS4C64M32MD2-25BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。AS4C128M8D3A-12BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。AS4C32M32MD2-25BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。AS4C64M16MD2-25BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-134 封装。AS4C128M8D3-12BIN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-48
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.5 V、电源电压（最小值） 1.5 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 TFBGA-48 封装。AS4C128M16MD2-25BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-134 封装。AS4C4M16S-6BIN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TFBGA-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。