93LC56A/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录34LC02-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.2～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。BR25S640FV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOP-8 封装。BR24S16FV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括型号别名 BR24S16FV-W、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。BR24S32FVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、存储组织结构 4 k x 8、电源电流（最大值） 2 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOP-B-8 封装。BR24L16FVM-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。BR24T32FVJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B8J-8 封装。BR24G128FVJ-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B8J-8 封装。24AA256-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括存储容量 256 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 32 k x 8、数据保持时间 200 Year、湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。BR24G64NUX-3TTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 VSON008X2030-8 封装。BR93G86FVJ-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-B8J-8 封装。BR93G86FVJ-3BGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-B8J-8 封装。25LC320T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25AA080C-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。BR24G16FVJ-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B8J-8 封装。25LC010A-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。BR24G04FVJ-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B8J-8 封装。93LC86CT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。24LC16BH-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。24AA16-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。