24LC16B-I/SNG
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录24AA02UID-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。24LC00-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 位、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。24FC515-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Wide-8 封装。24LC512-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。25A512-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 64 k x 8，采用 SOIC-8 封装。25LC256-E/SM
Microchip Technology · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-Wide-8 封装。BR24S64F-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括型号别名 BR24S64F-W，采用 SOP-8 封装。BR24G256FJ-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。24AA256-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。BR25H040F-2LBH2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 4 kB、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOP-8 封装。BR25S320FVM-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括型号别名 BR25S320FVM-W，采用 MSOP-8 封装。BR24L04FVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。BR34L02FVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。BR25H020F-2LBH2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 2 kB、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SOP-8 封装。BU9889GUL-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：VCSP50L1-6
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、存储组织结构 1 k x 8，采用 VCSP50L1-6 封装。BR93L46RFV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SSOP-B-8 封装。BR24G16F-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。CAV24C16YE-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。25C320/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。