BR24G16NUX-3TTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括型号别名 BR24G16NUX-3、单件重量 0.000847 oz，采用 VSON008X2030-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录BR24G128FV-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SSOP-B-8 封装。BR24T01FVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。24FC128T-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。AT88SC0204CA-TH
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。25C040-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。BR24G04F-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。BR93G56FVJ-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-B8J-8 封装。BR24G01FVT-3AGE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。BR93G56FVM-3BGTTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。BR24G16FVT-3AGE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。93AA46/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。BR24G08FVT-3AGE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。BR24G04FVM-3AGTTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。BR24G08NUX-3TTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 VSON008X2030-8 封装。BR24G02FVJ-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B8J-8 封装。BR24G04FV-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SSOP-B-8 封装。24C01CT-I/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。24LC024-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。24LC02B-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。