BR24T08F-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录BR93G56NUX-3BTTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 VSON008X2030-8 封装。25AA010A-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。25AA010AT-I/MC
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-8 封装。93LC76BT-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-6
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOT-23-6 封装。25LC040/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。24LC08B-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。M95040-DFDW6TP
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。24C02C-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。93LC66A-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。93C56C-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。24AA01-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。93C66B-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。93AA46A-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。AT34C02D-XHM-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。CAT24C512YI-G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT88SC12816C-PU
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。BR25S640FVM-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括型号别名 BR25S640FVM-W、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。BR24A01AF-WLBH2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kB、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 I2C，采用 SOP-8 封装。BR24G256FJ-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。