IS43TR81280B-125JBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录IS43TR16256AL-15HBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。MT48LC64M8A2TG-75:C
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-54 封装。IS43DR86400E-25DBL
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-60 封装。AS4C16M16D1-5BIN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-60 封装。W97AH2KBVX2I
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。IS45S32200L-7TLA1
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-86 封装。IS43R16160D-5TL
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS43R32800D-5BLI
ISSI · 封装：LFBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 LFBGA-144 封装。IS43R16160F-5TL
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。W989D2DBJX6I
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。IS42S83200J-7TL
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-54 封装。AS4C16M16SA-7TCNTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS43DR16320D-25DBL
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。AS4C1M16S-7TCNTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-50 封装。IS43R16800E-6TL
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。W94AD6KBHX5E
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W9712G6KB-25
Winbond · 封装：TFBGA-84
主要参数包括存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 8 M x 16，采用 TFBGA-84 封装。AS4C32M8D1-5TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-66 封装。AS4C32M16D1-5BCN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-60 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。