BR93G56FVM-3GTTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录BR24T04NUX-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 VSON008X2030-8 封装。M24128-DRMN8TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SO-8 封装。CAT24C04YI-G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V , 2.5 V , 3.3 V , 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。25AA040AT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。93LC66B-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。AT25040B-XHL-B
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。93C46BT/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。AT28HC256-90TU
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSOP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 TSOP-28 封装。AT28HC64B-90JU
Microchip Technology · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 8 k x 8，采用 PLCC-32 封装。24LC1026-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。BR24C21FJ-E2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。BR24G01FVM-3GTTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。CAV24C128WE-GT3
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。BR93L66FV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。25LC080-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25C080/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。BR24T16FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。M24C64-DRMF3TG/K
STMicroelectronics · 封装：MLP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MLP-8 封装。BR93L66RFVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-B-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。