BR24L16FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录93LC86/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。25C080-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25LC320/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。25LC320A-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。25C320-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。BR24G32FV-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SSOP-B-8 封装。BR93G86FVT-3AGE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-B-8 封装。BR24T16FVM-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。BR93G86FVM-3GTTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。BR24G32FVM-3GTTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。24LC128T-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Wide-8 封装。25AA080C-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 MSOP-8 封装。BR24T16FV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。CAT24C64YI-G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。24VL024/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.8 V , 2.5 V , 3.3 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。CAT25010YI-G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。BR24G02FVJ-3AGTE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B8J-8 封装。BR24G01FVT-3GE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。24AA64-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Wide-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。