AT28HC256-12TU
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSOP-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 TSOP-28 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AT28C256F-15JU
Microchip Technology / Atmel · 封装：PLCC-32
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 32 k x 8，采用 PLCC-32 封装。AT28HC64B-90SU
Microchip Technology · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 8 k x 8，采用 SOIC-28 封装。25LC1024-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。DS24L65P+
Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括电源电压（最大值） 1.89 V、工作电源电压 1.8 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、工作电源电流 750 uA、型号别名 90-24L65+P00 DS24L65，采用 TSOC-6 封装。BR24G08FVT-3GE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。M24512-DRMN3TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SO-8 封装。BR24T256F-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。DS28E22P+
Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 8，采用 TSOC-6 封装。BR24L08F-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。M95512-DFDW6TP
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 16 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 64 k x 8，采用 TSSOP-8 封装。25LC160-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。93AA66CT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。24LC515-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。CAV24C08YE-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。BR93L56FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOP-J-8 封装。BR24G32FJ-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。BR93G86NUX-3ATTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 VSON008X2030-8 封装。BR24G64FVT-3AGE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。BR24G02F-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。