MT46H64M16LFBF-5 AAT:B TR
Micron · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT48LC4M32B2P-6A AIT:L TR
Micron · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。EDB5432BEPA-1DAAT-F-R
Micron · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。MT48LC8M16A2P-6A AAT:L TR
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
Micron · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。MT46V32M16CY-5B AIT:J TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。MT40A512M16JY-062E:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT40A512M16JY-083E AUT:B
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT40A1G8WE-075E IT:B
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。AS4C16M32MD1-5BCN
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、存储组织结构 16 M x 16、湿敏性 是。IS43R16160D-5TLI
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS45S16160G-7CTLA1
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。W9412G6KH-5I
Winbond · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。IS43R16160D-6TL
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS43R16160F-6TL
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS42S32200L-6BL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS43LD32160A-25BLI
ISSI · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-134 封装。IS43TR16128BL-15HBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。