24AA02T-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AT25020B-MAHL-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 UDFN-8 封装。AT24CS02-SSHM-B
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
采用 SOIC-8 封装。AT28HC256E-12SU
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。DS28E15Q+U
Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 512 位、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 2，采用 TDFN-6 封装。BR24L32F-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。24LC65/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。93LC86-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。25C160-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。24LC256-I/SMG
Microchip Technology · 封装：SOIC-Wide-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-Wide-8 封装。BR24L02NUX-WTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括型号别名 BR24L02NUX-W，采用 VSON008X2030-8 封装。BR24L01AFV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。BR24G16FJ-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。BR24G02NUX-3TTR
ROHM Semiconductor · 封装：VSON008X2030-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 VSON008X2030-8 封装。AT93C86A-10PU-1.8
Microchip Technology / Atmel · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.25 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。25LC040AT-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。BR24G08FVM-3GTTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MSOP-8 封装。CAT24C08YI-G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V , 2.5 V , 3.3 V , 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。M95160-DFDW6TP
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。24LC16B-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。