25C160/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录BR93L66F-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.5 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOP-8 封装。CAT25040VI-G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。CAT25010VI-G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。24LCS22AT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。M24C32-DFMC6TG
STMicroelectronics · 封装：UFDFPN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 UFDFPN-8 封装。24C01C/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。93C66C-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。93LC46C-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。M24C32-DRMN8TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SO-8 封装。93LC46BT-I/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。DS2431Q+U
Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 2.8～5.25 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 4，采用 TDFN-6 封装。24FC1025-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 1 Mbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。M95256-DWDW4TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。PCA9559PW,118
NXP Semiconductors · 封装：TSSOP-20
主要参数包括最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、型号别名 935265306118、单件重量 0.003370 oz，采用 TSSOP-20 封装。M24256-DRMN3TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SO-8 封装。24FC128T-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。BR24G04FJ-3GTE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。M95160-DRMN8TP/K
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 SO-8 封装。M95040-RMC6TG
STMicroelectronics · 封装：UFDFPN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 UFDFPN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。