BR25G256FVT-3GE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括型号别名 BR25G256FVT-3，采用 TSSOP-B-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录BR24T04FVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。CAV24C04WE-GT3
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 512 x 8，采用 SOIC-8 封装。25LC640X-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。BR93L46RF-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOP-8 封装。24AA64T-E/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括存储容量 64 kbit、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 8 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.000222 oz，采用 SOT-23-5 封装。25AA02E64T-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-6
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOT-23-6 封装。24AA32AFT-I/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TDFN-8 封装。24AA32A-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。AT24MAC602-XHM-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。93C46C-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。AT25010B-MAHL-T
Microchip Technology / Atmel · 封装：UDFN-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 1 kbit、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 128 x 8、数据保持时间 100 Year，采用 UDFN-8 封装。93AA66A-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。AT24HC04B-TH-B
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。93LC86/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。24AA256-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIJ-8 封装。25LC320AT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。BR93G56FVM-3AGTTR
ROHM Semiconductor · 封装：MSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。M24C08-DRMF3TG/K
STMicroelectronics · 封装：MLP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 MLP-8 封装。93LC46/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。