24FC128-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录M93C86-WDW6TP
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。93LC86C-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。M24C32S-FCU6T/T
STMicroelectronics · 封装：WLCSP-4
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 WLCSP-4 封装。24LCS52/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。M24C02-DRDW8TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。24LC014-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。24C02CT-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。BR24L02FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。AT28HC256-12SU
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-28
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5 V, 5.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8，采用 SOIC-28 封装。DS28E25P+
Maxim Integrated · 封装：TSOC-6
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 TSOC-6 封装。25AA160A-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。BR24T02FVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。CAT34C02YI-GT5A
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz, 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。24AA32A-I/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 PDIP-8 封装。24AA16HT-I/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.7～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOT-23-5 封装。24LC025-I/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。CAT24C512WI-G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。25AA512-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIJ-8 封装。25LC512-I/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIJ-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。