AS4C512M8D3LA-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS4C32M16MS-7BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-54 封装。AS4C64M16D3LA-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C64M8D1-5TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-66 封装。MT46V64M8CV-5B IT:J
Alliance Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 64 位，采用 FBGA-60 封装。IS42VM32800K-6BLI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-90 封装。AS4C32M16D2A-25BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。IS43DR16640B-3DBL
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。AS4C128M16D3A-12BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。EDB8164B4PT-1DIT-F-R
Micron · 封装：FBGA-216
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 64 位，采用 FBGA-216 封装。MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR
Micron · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR
Micron · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。MT48LC16M16A2P-7E AIT:G
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS42S16800F-6BLI
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。EDB4432BBBJ-1D-F-R
Micron · 封装：WFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-134 封装。MT53B128M32D1DS-062 AIT:A
Micron
主要参数包括湿敏性 是。MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR
Micron · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。MT53B128M32D1DS-062 AAT:A
Micron
主要参数包括湿敏性 是。MT46H128M16LFDD-48 WT:C
Micron · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 208 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。