602-00001
Parallax
主要参数包括存储容量 16 kbit、存储组织结构 2 k x 8、湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录BR25S640F-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括型号别名 BR25S640F-W，采用 SOP-8 封装。BR9040F-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOP-8 封装。CAT25128XI-T2
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOIC-8 封装。BR25L040FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 SOP-J-8 封装。M95512-DRDW8TP/K
STMicroelectronics · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 16 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 SPI，采用 TSSOP-8 封装。BR25S640FVT-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括型号别名 BR25S640FVT-W、单件重量 0.006737 oz，采用 TSSOP-B-8 封装。BU9832GUL-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：VCSP50L2-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、存储组织结构 1 k x 8，采用 VCSP50L2-8 封装。24FC256-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。BR9020RFV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、存储组织结构 128 x 16，采用 SSOP-B-8 封装。BR25L040FVJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-B8J-8 封装。BR24S08FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、存储组织结构 1 k x 8、电源电流（最大值） 2 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-J-8 封装。BR24S08FV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-8
主要参数包括型号别名 BR24S08FV-W，采用 SSOP-8 封装。25LC128-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 PDIP-8 封装。LE24512AQF-AH
ON Semiconductor · 封装：VSON8K-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 1.7～3.6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 VSON8K-8 封装。CAV93C86YE-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括认证等级 AEC-Q100，采用 TSSOP-8 封装。25LC128X-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括存储容量 128 kbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 16 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-8 封装。CAT25128YI-G
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。BR24G256FVT-3GE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B-8
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.6～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-B-8 封装。93C86-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 16 kbit、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。