24AA65/SM
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 1.8～6 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIJ-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录DS28EL15Q+U
Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括存储容量 512 位、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 1.89 V、工作电源电压 1.8 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 2，采用 TDFN-6 封装。24AA512-I/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 DFN-8 封装。24LC512-E/ST14
Microchip Technology · 封装：TSSOP-14
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-14 封装。24FC512-I/ST14
Microchip Technology · 封装：TSSOP-14
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 512 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-14 封装。DS28E25G+T
Maxim Integrated · 封装：SFN-2
主要参数包括存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.97 V、电源电压（最大值） 3.63 V、工作电源电压 2.97～3.63 V、接口类型 Serial, 1-Wire, SDQ、存储组织结构 256 x 16，采用 SFN-2 封装。25LC256-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-8 封装。CAV24C256YE-GT3
ON Semiconductor · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 TSSOP-8 封装。BR24C21F-E2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 0.4 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-8 封装。CAV24C256WE-GT3
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。AT88SC25616C-PU
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。602-00013
Parallax · 封装：DIP-8
主要参数包括存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C、存储组织结构 16 k x 8，采用 DIP-8 封装。25AA256-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括存储容量 256 kbit、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据保持时间 200 Year、单件重量 0.032805 oz，采用 PDIP-8 封装。25LC256-E/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。BR24L32FJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-J-8
主要参数包括最大时钟频率 0.1 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOP-J-8 封装。BR24S64FV-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-28
主要参数包括型号别名 BR24S64FV-W、单件重量 0.025045 oz，采用 SSOP-28 封装。BR24S64FVJ-WE2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOP-B8J-8
主要参数包括型号别名 BR24S64FVJ-W、单件重量 0.005573 oz，采用 TSSOP-B8J-8 封装。AT88SC3216C-PU
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 5 MHz、存储容量 32 kbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 2-Wire, I2C，采用 SOIC-8 封装。25AA256X-I/ST
Microchip Technology · 封装：TSSOP-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 256 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 TSSOP-8 封装。25LC128-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括最大时钟频率 10 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 4-Wire, SDI, SPI，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。